机译:4H-SiC浮动结肖特基势垒二极管的导通电阻和击穿电压的分析模型
机译:基于椭圆圆柱解的沿冶金结边的峰值场和击穿电压分布的理论分析
机译:研究大块和基本螺钉错位有助于低压(> 250 V)4H-SiC p / sup +/- n结二极管的反向击穿。二。动态击穿特性
机译:高击穿电压台面结构垂直GaN p-n结二极管的电化学刻蚀稳定制备
机译:单元素纳米结构的界面:边缘,晶界和连接点
机译:边界处有部分滑移的拉伸壁上边界层流动方程的解析近似解
机译:分析1D pn结二极管光电流解决方案跟随电离辐射并包括载流子寿命的时间依赖性变化。
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性